IRF7526D1
Schottky Diode Characteristics
10
100
10
1
0.1
T J = 15 0 °C
1 2 5 °C
1 0 0°C
7 5°C
5 0 °C
0.01
2 5 °C
0.001
0.0001
A
0
5
10
15
20
25
30
1
T J = 1 50°C
T J = 1 25°C
T J = 2 5°C
R eve rse V o lta ge - V R (V )
Fig. 13 - Typical Values of Reverse
Current Vs. Reverse Voltage
160
140
120
100
80
V r = 8 0 % R ated
R t hJA = 1 0 0 °C /W
Sq uare w ave
60
40
D
D
D
D
= 3 /4
= 1 /2
= 1 /3
= 1 /4
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
20
D
= 1 /5
DC
F Forward Voltage Drop - V V F M (V) (V )
orwa rd V oltage D ro p -
F
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
A
A v era ge F orw ard C urrent - I F(A V ) (A )
Fig. 12 -Typical Forward Voltage Drop
Characteristics
Fig.14 - Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
6
www.irf.com
相关PDF资料
IRF7601TR MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
IRF7603TR MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
IRF7604TRPBF MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
IRF7604TR MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
IRF7607 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
IRF7663TR MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
IRF7700GTRPBF MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
IRF7700TRPBF MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
相关代理商/技术参数
IRF7526D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7530 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
IRF7530PBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7530PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF7530TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7530TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7530TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7534D1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件